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IMW120R220M1H
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IMW120R220M1H

型号IMW120R220M1HXKSA1
制造商Infineon Technologies
MfrInfineon Technologies
系列CoolSiC™
包装Tube
零件状态Active
FET 类型N-Channel
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2kV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (最大 Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Rds On (最大) @ Id, Vgs286mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id5.7V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (最大) @ Vgs8.5nC @ 18V
Vgs (最大)+23V, -7V
输入 点容 (Ciss) (最大) @ Vds289pF @ 800V
FET Feature-
功率 Dissipation (最大)75W (Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商器件封装PG-TO247-3-41
封装/外壳TO-247-3


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商品描述
型号IMW120R220M1HXKSA1
制造商Infineon Technologies
MfrInfineon Technologies
系列CoolSiC™
包装Tube
零件状态Active
FET 类型N-Channel
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2kV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (最大 Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Rds On (最大) @ Id, Vgs286mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id5.7V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (最大) @ Vgs8.5nC @ 18V
Vgs (最大)+23V, -7V
输入 点容 (Ciss) (最大) @ Vds289pF @ 800V
FET Feature-
功率 Dissipation (最大)75W (Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商器件封装PG-TO247-3-41
封装/外壳TO-247-3



               

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